| 专利名称 | 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法 | 申请号 | CN201110393374.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103130229A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 吴立冬;卢宪波;苏凡;陈吉平 | 主分类号 | C01B33/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法 至一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种多级孔道的二氧化硅纳米材料及其制备方法。其特征是该材料为近球形形貌，直径在50-250nm之间，比表面积在500-1000m2/g之间；材料具有两种不同的孔道：一种为蠕虫状或近六方结构的介孔主孔道，孔径在2-3nm之间，另一种为位于材料球体中心或均匀分散在球体内的囊泡形孔道，孔径在5-50nm之间，两种孔道相互连通。该材料的制备采用“两步法”，首先在传统的溶胶-凝胶过程中添加适量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，得到二氧化硅胶体颗粒，再利用伪晶转化技术得到多级孔道材料，制备条件温和，工艺简单可控。 |
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