| 专利名称 | N,N’-二烷基-14H-苯并[4,5]异喹啉并[2,1-a]萘嵌间二氮杂苯-14-酮-3,4,10,11-二酰亚胺化合物及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201110373560.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103130804A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 于贵;朱敏亮;张骥;陈华杰;黄剑耀;郭云龙;刘云圻 | 主分类号 | C07D471/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D471/22(2006.01)I;C07D221/14(2006.01)I;C07D491/06(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | N,N’-二烷基-14H-苯并[4,5]异喹啉并[2,1-a]萘嵌间二氮杂苯-14-酮-3,4,10,11-二酰亚胺化合物及其制备方法与应用 至N,N’-二烷基-14H-苯并[4,5]异喹啉并[2,1-a]萘嵌间二氮杂苯-14-酮-3,4,10,11-二酰亚胺化合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种N，N’-二烷基-14H-苯并[4，5]异喹啉并[2，1-a]萘嵌间二氮杂苯-14-酮3，4，10，11-二酰亚胺(BIPOI)化合物及其制备方法与应用。结构如式I所示，其中，R和R’为烷基或芳基。本发明还提供了式I化合物的制备方法。本发明提供的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性，可以推广应用到其他BIPOI化合物的合成。以本发明BIPOI为有机半导体层制备的OFET的电子迁移率和开关比都比较高(μ最高为0.05cm2/V·s，开关比大于108)，在OFET中有良好的应用前景。 |
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