| 专利名称 | 一种晶圆级阳极键合方法 | 申请号 | CN201110395020.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103130180A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗巍;解婧;张阳;李超波;夏洋 | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶圆级阳极键合方法 至一种晶圆级阳极键合方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种晶圆级阳极键合方法。所述晶圆级阳极键合方法，包括如下步骤：将待键合的硅或金属样片和玻璃样片浸泡到清洗液中清洗；将清洗后的硅或金属样片和玻璃样片吹干，放入键合装置中，一边加热，一边抽真空，到达预设工作温度和真空度后，加电压到单点阴极，使贴合后的硅和玻璃发生第一次阳极键合；将第一次阳极键合后的样片，放入键合装置中，一边加热，一边抽真空，到达预设工作温度和真空度后，加电压和压力到平板阴极，使第一次键合后的样片中未键合部分全部完成键合。本发明使用两步键合的方法，能够实现大面积、键合界面无气泡的高质量、高效率的阳极键合，工艺过程简单，可控性强。 |
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