| 专利名称 | 一种SRAM存储器 | 申请号 | CN201320326372.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203276858U | 公开（授权）日 | 2013.11.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘鑫;赵发展;韩郑生 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SRAM存储器 至一种SRAM存储器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种SRAM存储器，包括：第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第一至第四P型MOS管;其中，第一N型MOS管与第一P型MOS管形成第一反相器，第二N型MOS管与第二P型MOS管形成第二反相器；第五N型MOS管与第一N型MOS管并联，第六N型MOS管与第二N型MOS管并联；第一P型MOS管与第三P型MOS管并联，第二P型MOS管与第四P型MOS管并联；第三MOS管和第四MOS管的栅极与字线信号相连，第三MOS管的漏极与位线信号相连，第四MOS管的漏极与位线非信号相连，第三MOS管的源极与第一存储节点相连，第四MOS管的源极与第二存储节点相连。本实用新型降低了分压电阻，从而提升了静态噪声容限。 |
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