| 专利名称 | 一种SRAM存储器 | 申请号 | CN201320332576.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203276859U | 公开（授权）日 | 2013.11.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘鑫;赵发展;韩郑生 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SRAM存储器 至一种SRAM存储器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种SRAM存储器，包括：第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一至第八N型MOS管；其中，所述第一P型MOS管、所述第三N型MOS管、所述第二P型MOS管与所述第四N型MOS管构成存储单元；所述第一、第二N型MOS管构成开关电路；所述第五至第八N型MOS管构成独立的读取电路；从而形成在存储单元外完成读取操作，避免了存储单元内的放电通路造成的存储点电位降低，导致静态噪声容限降低，从而维护了SRAM存储器的稳定性。 |
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