| 专利名称 | 一种半导体器件 | 申请号 | CN201090000844.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203277329U | 公开（授权）日 | 2013.11.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;钟汇才;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供了一种半导体器件。所述器件包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上的栅堆叠以及侧墙；形成于所述栅堆叠两侧的半导体衬底内的源极区和漏极区；其中所述栅堆叠的下部包括：高k栅介质层；形成于所述高k栅介质层上的功函数金属层；形成于所述功函数金属层上的第一金属层，其中所述第一金属层的底部和侧壁由所述功函数金属层覆盖；其中所述栅堆叠的上部包括形成于所述第一金属层及功函数金属层上的第二金属层。由于功函数金属层（214）具有高电阻并且第二金属层（218）具有低电阻，因此显著减小了栅极结构整体的电阻，进而提高了半导体器件的交流性能。 |
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