| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210135857.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103383962A | 公开（授权）日 | 2013.11.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底；栅堆叠，位于所述衬底之上，至少包括栅介质层和栅电极层；源/漏区，位于栅堆叠两侧的衬底中；STI结构，位于源/漏区两侧的衬底中，其中取决于所述半导体结构的类型，所述STI结构具有的剖面形状为正梯形、Sigma形或者倒梯形。相应地，本发明还提供了形成该半导体结构的制造方法。本发明可以不同形状的STI结构结合不同应力填充物对沟道横向产生不同的张应力或者压应力，由此分别对NMOS的电子迁移率和PMOS的空穴迁移率产生正面影响，增加器件的沟道电流，从而有效地提高了半导体结构的性能。 |
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