| 专利名称 | 宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器 | 申请号 | CN201310310884.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103383977A | 公开（授权）日 | 2013.11.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 张志伟;缪国庆;宋航;蒋红;黎大兵;孙晓娟;陈一仁;李志明 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器 至宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，属于光电子材料与器件领域，解决了现有InGaAs红外探测器由于晶格失配产生缺陷，导致探测器性能明显下降的问题。本发明的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，包括依次生长在GaAs衬底上的缓冲层、吸收层和盖层，所述缓冲层为掺Si的InAsP，厚度为0.5-1.5μm，所述吸收层为低掺杂Si的In0.82Ga0.18As，厚度为2.5-3.5μm，所述盖层为掺Be的InAlAs，厚度为0.5-1.5μm。本发明的红外探测器具有高量子效率、高探测率，能够满足正面进光、背面进光及倒扣封装结构。 |
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