| 专利名称 | 一种沟槽型IGBT版图结构 | 申请号 | CN201220674679.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202948932U | 公开（授权）日 | 2013.05.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 左小珍;朱阳军;赵佳;田晓丽 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种沟槽型IGBT版图结构 至一种沟槽型IGBT版图结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种沟槽型IGBT版图结构，属于半导体功率器件的技术领域。该结构包括有源区内的任意相邻两个元胞区域内的元胞排列均互相垂直，所述元胞的栅极通过多晶硅连接。本实用新型由于四个不同区域内元胞的排列方向不同，即相邻两个区域内的元胞排列方式是垂直的，因此在流片过程中产生应力的方向也是垂直的。在多个重复单元排列的情况下便可减少单一方向应力的集中，从而减轻圆片翘曲的可能。 |
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