| 专利名称 | 一种半导体器件 | 申请号 | CN201220497900.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202948930U | 公开（授权）日 | 2013.05.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 褚为利;朱阳军;吴振兴;卢烁今;田晓丽 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型的实施例公开了一种半导体器件，包括：基底，该基底包括本体层；位于本体层表面内的主结和场限环，主结的深度大于场限环的深度。本实用新型实施例提供的半导体器件通过在不同的光刻步骤下，先后形成主结和场限环，并使主结结深大于场限环结深，从而降低了主结处的峰值电场，同时使主结对氧化层中各类电荷的敏感度下降，最终提高了器件的耐压性。 |
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