| 专利名称 | 晶体管 | 申请号 | CN201190000075.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202948903U | 公开（授权）日 | 2013.05.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/425(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/425(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体管 至晶体管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种晶体管。本实用新型的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中所述源区包含在平行于衬底表面的方向上排列的多个位错。 |
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