| 专利名称 | 一种IGBT版图 | 申请号 | CN201220586619.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202948448U | 公开（授权）日 | 2013.05.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 喻巧群;张杰;朱阳军;左小珍 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种IGBT版图 至一种IGBT版图 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种IGBT版图，包括有源区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点和至少一条gate?finger，其中，所述终端区位于所述有源区的外围，所述栅极压焊点、所述源极压焊点和所述gate?finger位于所述有源区的内部，该IGBT版图还包括gate?bus，所述gate?bus位于所述有源区的至少两条边的外侧且位于所述有源区与所述终端区之间，其中的两条边处于相对的位置；其中，所述gate?finger连接所述栅极压焊点和所述gate?bus。本实用新型通过gate?finger和gate?bus将栅压传导到各个元胞处，能够确保处于不同位置的元胞充分开启，使得电流分布均匀。 |
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