| 专利名称 | ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 | 申请号 | CN201310019627.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103117222A | 公开（授权）日 | 2013.05.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李梦珂;周旭亮;于红艳;李士颜;米俊萍;潘教青 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 至ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽；分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；采用MOCVD的方法，在沟槽内的硅衬底上依次生长缓冲层、超晶格缓冲层、沟道层、隔离层、N型重掺杂的电子供应层和盖层；采用化学抛光的方法，将盖层抛光，抛光后的粗糙度小于1nm；通过光刻、腐蚀、金属布线工艺，在抛光后的盖层上沿沟槽的方向形成源极、漏极和栅极，完成器件的制备。本发明是通过改变原料，增加一层超晶格缓冲层，并结合高深宽比沟槽限制技术，抑制了界面适配位错和APD向外延层的延伸。 |
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