| 专利名称 | HEMT器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110364028.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103117221A | 公开（授权）日 | 2013.05.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘果果;魏珂;黄俊;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | HEMT器件及其制造方法 至HEMT器件及其制造方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种可用于Ka波段或更高频段的HEMT器件及其制造方法，该方法包括：提供包括衬底、缓冲层、外延层、帽层、源极、漏极和钝化层的基底；在基底表面内形成穿过钝化层、帽层并深入到外延层表面内的栅槽；在栅槽底面上形成T型栅，T型栅的栅脚边缘与栅槽侧壁具有一定间距，栅帽下表面高于钝化层上表面且与钝化层上表面具有一定间距。本发明实施例中由于T型栅的栅脚和栅帽均未与钝化层的介质直接接触，而是保留了一定间隔，从而在根本上降低甚至消除了栅与介质之间产生的寄生电容，减小了器件的栅源电容和栅漏电容，增大了器件的截止频率和最高振荡频率，使器件可工作于Ka波段及其以上频段，提高了器件的功率特性。 |
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