| 专利名称 | 一种用于GaN单晶衬底的表面抛光方法 | 申请号 | CN201310047961.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103114323A | 公开（授权）日 | 2013.05.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王斌 | 主分类号 | C25F3/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C25F3/12(2006.01)I;C25F3/30(2006.01)I;B24B37/00(2012.01)I;C30B33/00(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于GaN单晶衬底的表面抛光方法 至一种用于GaN单晶衬底的表面抛光方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的电化学机械抛光的方法，包括：将氮化镓晶体和抛光盘分别作为阳极和阴极，针对GaN晶体的机械研磨和在电解液的中电化学机械抛光。本发明可在GaN晶体的表面获得表面粗糙度均方根小于0.5nm的平整度；本发明抛光效率高、划痕密度较低；无需使用强酸强碱做抛光液，可以在常温条件进行，简便易行，适用于工业化生产。 |
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