| 专利名称 | 一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法 | 申请号 | CN201310036721.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103112816A | 公开（授权）日 | 2013.05.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大学 | 发明（设计）人 | 董刚强;刘丰珍 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法 至一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法，属于光伏和半导体器件制造技术领域。首先在单晶硅片表面覆盖周期排布的微球，并在微球的玻璃转化温度点附近进行退火；在氧气氛围下，经感应耦合等离子体刻蚀后，得到分离排布的微球阵列；采用物理气相沉积方法在单晶硅片上均匀沉积金属钛薄膜；将带有掩膜的硅片放入含有表面活性剂的碱性溶液中腐蚀，得到有序排布的金字塔阵列。本发明方法流程简单，制备周期短，工艺成熟；通过选取和微调制备模版的方法，可以得到正金字塔阵列、倒金字塔阵列和正倒金字塔组合阵列三种结构。在光伏、磁存储器件、纳米光电器件、纳米传感器、以及表面拉曼增强和表面等离子效应的等领域有着广泛的应用价值。 |
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