| 专利名称 | 提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 申请号 | CN201210112494.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103377911A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;赵超;李俊峰;侯瑞兵;卢一泓;崔虎山 | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | 专利有效期 | 提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法 至提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，包括以下步骤：在衬底上形成特征；在特征之间形成第一介质隔离层；平坦化第一介质隔离层，直至暴露特征，使得特征之间的第一介质隔离层具有凹陷深度；在特征以及介质隔离层上形成第二介质隔离层，降低特征之间与特征顶部第二介质隔离层的高度差；平坦化第二介质隔离层，直至暴露特征。依照本发明的提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，在研磨特征顶部的介质隔离层之后再次形成介质隔离层，使得特征之间与特征顶部介质层高度差有效降低，并补偿了特征的凹陷，有效提高了晶圆芯片内部的均匀性。 |
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