| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210117033.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103378129A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体结构，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上；绝缘塞，位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中；外延层，夹于所述绝缘塞和所述半导体基体之间。一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成半导体基体；在所述半导体基体内形成空腔，所述空腔暴露所述半导体衬底；在所述空腔中选择性外延形成外延层；在所述空腔中形成绝缘塞。通过形成超陡的倒掺杂阱，利于减小短沟道效应。 |
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