| 专利名称 | 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210129587.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103378008A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;付作振;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 专利有效期 | 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 至双金属栅极CMOS器件及其制造方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种双金属栅极CMOS器件的制造方法，具体包括：在第一栅极凹陷和第二栅极凹陷内形成第一类型金属功函数调节层，在所述第一栅极凹陷和第二栅极凹陷内形成第二类型功函数金属扩散源层；在第一栅极凹陷和第二栅极凹陷中形成间隙填充金属；形成遮蔽第一类型器件所在区域的加热隔离层；对所述第一类型器件和第二类型器件所在区域进行热退火，将第一类型金属功函数调节层转化为第二类型金属功函数调节层。本发明还提供了一种利用选择加热形成不同功函数的双金属栅极CMOS器件。本发明工艺简单且不会对高K栅介质层造成损伤，避免了CMOS中复杂的不同功函数金属栅集成工艺。 |
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