| 专利名称 | 浅沟槽隔离化学机械平坦化方法 | 申请号 | CN201210122037.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103377912A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 何卫;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 浅沟槽隔离化学机械平坦化方法 至浅沟槽隔离化学机械平坦化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；光刻/刻蚀硬掩膜层形成硬掩膜图形；以硬掩膜图形为掩膜刻蚀衬底形成浅沟槽；在硬掩膜层上以及浅沟槽内沉积绝缘层，其中不同区域内的绝缘层顶部存在高度差；在绝缘层上形成共形的保护层；化学机械平坦化绝缘层以及保护层，直至露出硬掩膜层。依照本发明的浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，通过在氧化物顶部额外施加的保护层，防止了浅沟槽区域内处于谷部的氧化物被过度移除，从而有效地提高了台阶高度的均匀性。 |
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