| 专利名称 | 用于真空电子器件的强流电子注能散测量系统及测量方法 | 申请号 | CN201210132372.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103377864A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 阮存军;吴迅雷;李庆生;李崇山;李彦峰 | 主分类号 | H01J37/244(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/244(2006.01)I | 专利有效期 | 用于真空电子器件的强流电子注能散测量系统及测量方法 至用于真空电子器件的强流电子注能散测量系统及测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种强流电子注能散测量系统，包括真空腔体、二极铁电磁体、双狭缝铜体、YAG探测器和CCD图像采集器。真空腔体是扁平的且横截面呈矩形，其纵向与水平面平行；二极铁电磁体的两极分别安装在真空腔体的上下两面，以在真空腔体内产生垂直于水平面的均匀磁场；双狭缝铜体安装在真空腔体的内部，用于将强流电子注变成弱流电子注，并准直进入真空腔体；电子YAG探测器位于双狭缝铜体出射的电子注流偏转90度的方向上，用于探测电子注空间密度分布；CCD图像采集器用于捕捉YAG探测器上生成的电子能散图像。本发明可以测量几百至100k电子伏能量、导流系数在0.1至十几微朴的强流电子注的能散相对分辨率与能散曲线。 |
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