| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210135041.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103377948A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构，在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区；在栅极堆叠结构以及源漏区上形成栅极保护层；执行离子注入，在源漏区表面形成一层非晶硅区；在栅极堆叠结构以及非晶区上淀积金属层；执行退火，使得金属层与非晶硅区反应形成金属硅化物。依照本发明的半导体器件制造方法，通过离子注入在源漏区中形成非晶硅区，限制了金属扩散方向，抑制了金属硅化物的横向延伸，进一步提高了器件的性能。 |
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