| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210106398.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103377924A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法先形成伪源/漏区，再除去该伪源/漏区后形成替换源/漏区，有效避免了对强应变的源/漏区进行高温退火时强应力引起的晶格错位和缺陷；在该半导体结构的形成过程中采用较低的退火处理温度，因此替换源/漏区的材料可选用高Ge比重的SiGe或SiC，能向MOSFET的沟道区施加强应力，提升了MOSEFT的性能。 |
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