| 专利名称 | 电容式超声传感器芯片及其制作方法 | 申请号 | CN201210132866.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103379392A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 俞挺;彭本贤;于峰崎 | 主分类号 | H04R1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H04R1/00(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I | 专利有效期 | 电容式超声传感器芯片及其制作方法 至电容式超声传感器芯片及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种电容式超声传感器芯片，其包括表面设有第一区域和第二区域的掺杂硅衬底；所述第一区域具有金属导电层延伸至第二区域的集成电路；所述位于第二区域的金属导电层上覆盖有附加膜，所述附加膜上覆盖有可导电的振动膜，所述附加膜中具有连接振动膜的接触通孔，所述附加膜和振动膜之间形成有空腔。上述电容式超声传感器芯片中，系在CMOS标准制造工艺的集成电路的金属导电层上覆盖附加膜、牺牲层及可导电的振动膜，最终制成传感器微单元，不改变现有CMOS工艺，兼容性好。此外，还涉及一种电容式超声传感器芯片的制作方法。 |
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