| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210117019.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103377930A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩模对半导体结构进行应力引发离子的注入，在栅极结构的两侧形成位于所述SOI衬底的BOX层之下的应力引发区。相应地，本发明还提供了一种根据上述方法形成的半导体结构。本发明提供的半导体结构及其制造方法在接地层形成应力引发区，所述应力引发区为半导体器件的沟道提供了有利应力，有助于提升半导体器件的性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障