| 专利名称 | 金属硅化物制造方法 | 申请号 | CN201210118972.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103377894A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 金属硅化物制造方法 至金属硅化物制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金属硅化物制造方法，包括步骤：在含硅衬底上形成特征线条；在含硅衬底和特征线条上形成镍基金属层，其中镍基金属层的厚度大于由源漏结深确定的形成镍基金属硅化物所需的最小厚度；执行第一退火，使得镍基金属层与含硅衬底反应形成均匀厚度的第一镍基金属硅化物；去除未反应的金属后，执行第二退火，使得第一镍基金属硅化物转化为均匀厚度的第二镍基金属硅化物。依照本发明的半导体器件制造方法，通过提高金属薄层的厚度，利用金属硅化物自对准工艺并控制工艺参数，分两步退火形成了具有均匀厚度的金属硅化物，从而均匀地降低了源漏电阻，进一步提高了器件的性能。 |
1、源头对接，价格透明
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