| 专利名称 | 表面等离子体共振芯片及应用该芯片的传感器 | 申请号 | CN201210114149.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103376244A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 祁志美;张喆;逯丹凤;柳倩 | 主分类号 | G01N21/55(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/55(2006.01)I;G01N21/41(2006.01)I | 专利有效期 | 表面等离子体共振芯片及应用该芯片的传感器 至表面等离子体共振芯片及应用该芯片的传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种表面等离子体共振芯片及应用该芯片的传感器。该表面等离子体共振芯片，包括：承载件；敏感膜，形成于承载件的一表面，其材料为金银合金。本发明采用金银合金敏感膜代替了以往广泛采用的纯金薄膜，其成本大大降低，灵敏度大幅提高。 |
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