与红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路

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专利名称 与红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路 申请号 CN201320139873.1 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN203251272U 公开(授权)日 2013.10.23 申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 袁红辉;陈永平;陈世军 主分类号 H03F3/45(2006.01)I IPC主分类号 H03F3/45(2006.01)I 专利有效期 与红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路 至与红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路 法律状态 说明书摘要 本专利公开了一种与长波红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路,该放大电路在输入端采用桥式电路方式,适合20欧姆到200欧姆低输入阻抗红外光导探测器信号的放大,能在液氮温度下工作。第一级双端输入单端输出差分放大器采用正负电源供电,可以使输入静态电压不受MOS管阈值电压限制。与偏置电阻和探测器对应的另一条支路采用10K欧姆与50欧姆串联,使从另一偏置输入端引入的噪声抑制比达到200倍,有利减小电路总噪声。在一定的带宽要求下为了增加前级增益降低等效输入噪声,放大器的负输入端与输出之间采用1M欧姆的反馈电阻。桥式输入方式、第一级放大器和第二级之间均采用直接连接方式,该放大器即能放大交流信号又能放大直流信号。

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