用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器

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专利名称 用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器 申请号 CN201320142505.2 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN203250772U 公开(授权)日 2013.10.23 申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 徐鹏霄;张可锋;李向阳;刘新智;赵水平;朱龙源;刘福浩;张立瑶 主分类号 H01L31/112(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/112(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 专利有效期 用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器 至用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器 法律状态 说明书摘要 本实用新型公开了一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器,其结构包括:衬底,此衬底为蓝宝石片;碲镉汞材料,该材料经双面粗、精抛处理后生长阳极氧化层;环氧树脂胶,此胶用作把碲镉汞材料与衬底粘结在一起;ZnS钝化层,该层起钝化材料表面和增透的双重作用;霍尔电极,此电极前后共四个,生长在碲镉汞材料上,用作霍尔测试和器件性能测试的信号引出电极;透明栅电极,该电极生长在ZnS钝化层上,通过此电极对器件施加栅压;加厚电极,此电极生长在透明栅电极上。该结构的探测器在器件性能测试和霍尔测试过程中均可施加栅压,获得器件性能最优时所需的栅压、材料载流子浓度、迁移率等电学参数条件,极大缩短器件的研制进程。

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