| 专利名称 | 一种采用转移法制作碳纳米管柔性微凸点的方法 | 申请号 | CN201310317189.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367185A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 戴风伟;曹立强;周静 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种采用转移法制作碳纳米管柔性微凸点的方法 至一种采用转移法制作碳纳米管柔性微凸点的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种用于微电子封装中的碳纳米管柔性凸点的制作方法。本发明中碳纳米管柔性凸点的制作方法是通过低温转移的方式把生长在其它基底上的碳纳米管束经过致密化处理后移植到半导体基底上制作成柔性微凸点。由于碳纳米管束具有一定的弹性和柔韧性，因此，利用碳纳米管束制作微凸点可以一定程度上缓解互连中热应力引起的失效问题。同时由于碳纳米管具有优秀的电学性能，如超高的电导率和超过109A/cm2的电流密度，因此，利用碳纳米管作为微凸点不但具有良好的电传输性能，而且还可以解决金属凸点的电迁移问题。本发明具有操作简单，兼容半导体工艺。 |
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