| 专利名称 | 极紫外光刻掩模缺陷检测系统 | 申请号 | CN201210104156.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103365073A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立 | 主分类号 | G03F1/44(2012.01)I | IPC主分类号 | G03F1/44(2012.01)I | 专利有效期 | 极紫外光刻掩模缺陷检测系统 至极紫外光刻掩模缺陷检测系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请涉及半导体学中的集成电路光刻领域，公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，包括：极紫外光源、极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、采集及分析系统。所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上；所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛；所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析系统。本申请利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜，实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。 |
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