| 专利名称 | 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 | 申请号 | CN201310302799.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103368074A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 至半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.018～0.024；x=0.014～0，y=0.022～0；并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料，GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感，基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。 |
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