| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210088443.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367226A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;蒋葳 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底中形成浅沟槽；在浅沟槽中形成浅沟槽填充层；在浅沟槽填充层上形成衬垫盖层；向浅沟槽填充层中注入离子并退火，形成浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，通过向浅沟槽中填充材料注入离子而形成绝缘材料，由于填充材料体积膨胀而向衬底有源区施加压应力，从而提高了未来沟道区的载流子迁移率，提高了器件性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障