| 专利名称 | 一种通孔结构及其制作方法 | 申请号 | CN201310317725.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367285A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 曹立强;戴风伟 | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种通孔结构及其制作方法 至一种通孔结构及其制作方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种2.5D或3D封装中用于interposer转接板的TSV制作方法。该方法的特征在于，TSV结构是通过双面刻蚀和双面填充而形成。本发明中揭示的方法可用于形成高深宽比或超高深宽比的TSV结构。从而解决高深宽比或超高深宽比TSV结构在形成工艺、设备、成品率以及可靠性方面的种种限制。相应的，本发明还提供了一种TSV通孔结构。 |
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