| 专利名称 | 一种化学机械抛光模拟方法 | 申请号 | CN201310332149.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103366071A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 马天宇;陈岚;孙艳 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I;G06F9/455(2006.01)I | 专利有效期 | 一种化学机械抛光模拟方法 至一种化学机械抛光模拟方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种化学机械抛光模拟方法，包括，选择集成电路版图中的任意一根互连线为研究对象；以所述研究对象为基准，在所述集成电路版图所在的平面内，分别向所述研究对象的至少四个方向延展一个平坦化长度，形成所述研究对象的划分窗格；提取所述研究对象的划分窗格中版图结构的特征参数，所述特征参数至少包括等效密度、等效线宽和等效间距中的两个；根据所述特征参数，采用化学机械抛光模型进行化学机械抛光模拟；得到所述研究对象的金属碟形和/或介质侵蚀模拟结果。这种模拟方法使得CMP模拟过程更加准确，更加符合CMP的物理化学机理，从而能够得到更加精确的CMP模拟后芯片表面形貌，确保芯片良率和性能预测的准确性。 |
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