| 专利名称 | 鳍形场效应晶体管制造方法 | 申请号 | CN201210106806.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367162A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;何卫;钟汇才;赵超;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 鳍形场效应晶体管制造方法 至鳍形场效应晶体管制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种鳍形场效应晶体管制造方法，包括步骤：在衬底上形成多个第一鳍形结构，沿平行于衬底的第一方向延伸的；在衬底上形成多个第二鳍形结构，沿平行于衬底的第二方向延伸的，其中第二方向与第一方向相交；选择性去除第二鳍形结构的一部分，形成多个栅极线条；选择性去除第一鳍形结构的一部分，形成多个衬底线条。依照本发明的鳍形场效应晶体管制造方法，利用极限光刻图形化技术制作均匀硅翅线与栅翅线后再集中切割对应的特定区域的方法，同时形成栅极线条和衬底线条，提高均匀度，减低工艺难度与成本。 |
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