| 专利名称 | GaAs隧道结及其制备方法 | 申请号 | CN201310302507.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367480A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;索尼公司 | 发明（设计）人 | 甘兴源;郑新和;吴渊渊;王海啸;王乃明;陆书龙;杨辉;有持祐之;内田史朗;池田昌夫;渡边知雅;吉田浩;野町一郎 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | GaAs隧道结及其制备方法 至GaAs隧道结及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡层、第一掺杂层和第二掺杂层，所述GaAs衬底、阻挡层以及第一掺杂层的导电类型相同，其特征在于，如果所述第一掺杂层为n型，第一掺杂剂为Te，则所述第二掺杂层为p型，第二掺杂剂为Mg；如果所述第一掺杂层为p型，所述第一掺杂剂为Mg，则所述第二掺杂剂为n型，所述第二掺杂剂为Te。 |
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