| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210088445.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367395A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海州;蒋葳 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的浅沟槽隔离，其特征在于：衬底与浅沟槽隔离之间还包括应力释放层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过在衬底与STI之间增加材质较软的应力释放层，将STI形成过程中积累的应力释放出来，减小了器件的衬底泄漏电流，提高了器件的可靠性。 |
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