| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210083156.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367363A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;马小龙;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了半导体器件，包括：第一MOSFET；第二MOSFET；第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有第二应力；其中，第二应力衬层和/或第一应力衬层包括金属氧化物。依照本发明的高应力半导体器件及其制造方法，采用CMOS兼容工艺分别在PMOS和NMOS上选择性形成包含金属氧化物的应力层，有效提升了沟道区载流子迁移率，提高了器件性能。 |
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