| 专利名称 | 一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法 | 申请号 | CN201310264486.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367123A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王庶民;顾溢;宋禹忻;叶虹 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法 至一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原子，利用此类原子增强铋原子在稀铋半导体材料中的成键强度，可以提高稀铋半导体材料在高温下的热稳定性；本发明可以用常规的分子束外延方法实现，操作工艺简单，易控制。 |
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