| 专利名称 | 使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 | 申请号 | CN201210089963.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367151A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 秦长亮;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 至使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明涉及使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法，包括提供初始结构，包括衬底，有源区，及栅极叠层；在栅极叠层两侧的有源区中进行离子注入，使得部分衬底材料预非晶化以形成非晶态材料层；形成第一侧墙；以第一侧墙为掩蔽，进行各向异性刻蚀，形成凹槽，在第一侧墙下方的非晶态材料层得以保留；利用表现出对非晶态材料层各向同性并且对其刻蚀速率大于或基本等于对衬底材料{100}、{110}面的刻蚀速率但远大于对衬底材料{111}面的刻蚀速率的腐蚀溶液进行湿法刻蚀，从而将第一侧墙下方的非晶态材料层去除，导致在非晶态材料层下方的衬底材料暴露在所述溶液中并被刻蚀，最终形成延伸到栅极叠层下方附近区域的Sigma形凹槽；在Sigma形凹槽内外延形成硅锗。 |
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