| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210088153.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367394A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海州;蒋葳 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了半导体器件，包括：在衬底上的第一外延层；在第一外延层上的第二外延层，在第二外延层的有源区中形成MOSFET；反T型的STI，形成在第一外延层和第二外延层中，并且包围有源区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，选择性刻蚀双层外延层从而形成反T型的STI，有效减少器件泄漏电流而同时又不会缩小有源区面积，提高了器件的可靠性。 |
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