| 专利名称 | CMOS及其制造方法 | 申请号 | CN201210083460.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367364A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;马小龙;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | CMOS及其制造方法 至CMOS及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS，包括：第一MOSFET；第二MOSFET，与第一MOSFET类型不同；第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有与第一应力类型不同的第二应力；其中，第二应力衬层与第一应力衬层材质不同，一个包括DLC，另一个包括氮化硅。依照本发明的高应力CMOS及其制造方法，采用CMOS兼容工艺分别在PMOS和NMOS上选择性形成不同的应力层，有效提升了沟道区载流子迁移率，提高了器件性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障