| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210088770.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103367227A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;蒋葳 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底中形成第一浅沟槽隔离；在第一浅沟槽隔离包围的有源区内形成半导体器件结构；去除第一浅沟槽隔离，在衬底中留下浅沟槽；在浅沟槽中填充绝缘材料，形成第二浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，形成高应力浅沟槽隔离之后，通过刻蚀去除然而再回填高应力浅沟槽隔离，使得高应力由栅极记忆而增强了沟道区应力，从而提高了未来沟道区的载流子迁移率，提高了器件性能。 |
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