| 专利名称 | 一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架及生长方法 | 申请号 | CN201210102338.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103361712A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡章贵;涂衡 | 主分类号 | C30B7/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B7/08(2006.01)I;C30B29/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架及生长方法 至一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架及生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架，包括上横板、下横板、两个侧柱以及籽晶杆，两个侧柱与上、下横板围成“口”字形结构，从侧柱方向看为“工”字形，籽晶杆固定于所述上横板外表面的中间位置。本发明还提供了一种大截面KDP类晶体的生长方法，采用本发明提供的载晶架进行晶体的生长。本发明提供的载晶架，对现有载晶架的结构进行了改进，减少了载晶架旋转时对溶液的扰动作用，使得生长均匀、高质量的晶体成为可能。本发明提供的KDP类晶体生长方法可以提高晶体的利用率，减少了晶体加工环节。与传统生长方法相比，具有利用率高、节约生长原料、周期短、降低成本消耗等优点。 |
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