| 专利名称 | 一种金-镍酸镧复合导电薄膜材料及其制备方法 | 申请号 | CN201210088760.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103360107A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 王占杰;王海玲 | 主分类号 | C04B41/50(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B41/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金-镍酸镧复合导电薄膜材料及其制备方法 至一种金-镍酸镧复合导电薄膜材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种金-镍酸镧复合导电薄膜材料及其制备方法，所述材料的组成为Au：2.21～4.32at％，La：19.11～19.56at％，Ni：19.11～19.56at％，其余为O，该材料的室温电阻率为350-500μΩ·cm，具有(110)晶体取向；该材料的制备方法是按照La∶Ni∶Au的摩尔比为1∶1∶0.113-0.226，称取硝酸镧、醋酸镍和氯金酸，以乙二醇甲醚和醋酸为溶剂，充分搅拌后得到黄绿色透明溶液，然后将所得溶液置于衬底材料上旋涂成膜，在120℃干燥10分钟后，在电炉中600-700℃退火10-30分钟；重复上述过程数次，得到所需厚度的金与镍酸镧复合的导电薄膜材料。该复合导电薄膜作为电极材料在铁电存储器、薄膜电容器和微机电系统等领域具有广阔的应用前景。 |
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