| 专利名称 | 磁控溅射设备 | 申请号 | CN201310279457.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103343324A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 冯叶;杨春雷;程冠铭;于冰;鲍浪;郭延璐;徐苗苗;肖旭东 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 磁控溅射设备 至磁控溅射设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种磁控溅射设备，包括真空腔壁、连接轴、工作台及导电电极；真空腔壁围成真空腔；所述连接轴的一端连接于所述真空腔壁上；所述工作台收容于所述真空腔中，并设置于所述连接轴的另一端，所述工作台用于固定衬底；所述导电电极穿设所述真空腔壁，其一端与工作台相连接，所述工作台通过所述导电电极与外接电源电连接，所述外接电源通过所述导电电极向所述工作台施加高电势。上述磁控溅射设备中，工作台及衬底均处于高电势的保护之下，飞向衬底的带电正离子会受到相反方向的电场作用力影响，使带电正粒子数量和能量都大幅度减少，减弱了带电正离子对衬底表面的轰击，保护了在衬底表面沉积所得的沉积物，进而使沉积物表面较为平整，晶体质量较好。 |
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