| 专利名称 | 铜铟镓硒薄膜制备方法 | 申请号 | CN201310277577.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103343323A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 杨春雷;于冰;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 铜铟镓硒薄膜制备方法 至铜铟镓硒薄膜制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。在上述铜铟镓硒薄膜制备方法中，通过在磁控溅射过程中，镓靶晚于铟靶开始磁控溅射，且镓靶晚于铟靶停止磁控溅射，从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓硒薄膜的底部富集，增加镓组分在铜铟镓硒薄膜顶部的含量，达到提升开路电压的目的，此外，使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。 |
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