| 专利名称 | 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 | 申请号 | CN201310306847.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103346092A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 至硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法，包括：在清洗好的硅衬底上生长锗层；在锗层上依次生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；对高温砷化镓层的表面进行抛光；退火后生长MOSFET结构，该MOSFET结构包括依次生长的GaAs缓冲层、InGaP层、InGaAs沟道层、InGaP刻蚀停止层和GaAs接触层；在一个基本单元ABCD内选区刻蚀长方形EFGH到InGaP刻蚀停止层；进行图形刻蚀InGaP刻蚀停止层、InGaAs沟道层和InGaP层，刻蚀深度到达GaAs缓冲层的表面，在EFGH的位置中的InGaAs沟道层形成有效沟道；选择性湿法腐蚀掉有效沟道下方的InGaP层；在悬空的有效沟道的周围沉积Al2O3栅；分别制作源电极、漏电极、栅电极，完成器件的制备。 |
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