| 专利名称 | 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 | 申请号 | CN201310232595.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103346070A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 韩伟华;杨晓光;杨涛;王昊;洪文婷;杨富华 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 至硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端面形成硅(111)晶面；以及步骤C，在左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的，具有硅(111)晶面的两端面之间横向选区生长III-V族材料纳米线，形成异质结桥接结构。本发明利用硅(111)晶面有较高的悬挂键密度和较低的表面自由能的特性，可以低成本实现在两段硅纳米线之间硅(111)晶面侧壁上III-V族纳米线的选区横向生长。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障